本实验装置主要由其空系统、微波激励系统、供气系统、基片温控加热系统以及循环水冶却系统等组成。微波源产生2.45GHz的微波，沿着波导管传输，经环行器、四钉阻抗调配器等装置，到达谐振腔反应室，气体在微波的激励下，获得
很大的能量，在反应室的工作平台处，形成球状的等离子体。本装置适合高校近代物理、材料物理等专业作为等离子体研究与技术应用方面实验。

主要实验内容
☆HFPCVD法在基片上制备各种功能薄膜材料;
☆MWPCVD法多壁碳纳米管阵列的化学气相沉积制备;
☆浮动催化裂解法制备单壁破纳米管;
☆PECVD制备一维纳米结构;
☆MWP化学合成。

仪器主要配置及技术参数

☆微波等离子体刻蚀精度达到亚徽米级。制备各种功能薄膜材料的速率较快;
☆镀膜沉积室：Φ45mm×300mm石英玻璃，上进气、下置抽气系统，设有垂厦交叉的两个方向的透明观察窗，可直观观家等离子体的放电特性。
☆微波源功率:0~900W，连续可调输出。
☆真空系统：机械式真空泵，交流市电220V，抽速：4L/s，极限气压：≤0.6Pa;
☆不锈钢冷阱，高真空蝶阀，GI-40高真空蝶阀。
☆微波传输及微波谐振腔;配有环行器、水负载、三螺钉阻抗调配器，短路活塞，保证微波源安全工作。微波反射检波测量系统，保证等离子体充分吸收微波的能量
☆供气系统:四路独立供气管路，流量分别由转子流量计控制;
☆真空测量:数显复合真空计，两路热偶规，一路电离规：1.0x103Pa~1.0x10-5Pa。
☆反应室由石英玻璃制作，工作气压:几帕~十千帕;直径
Φ44mm:极限真空，6×10-1P。
☆封闭式内循环水冷温度调节系统，连续工作系统温度≤30℃
☆整机配有水流报警系统，在水压不够或断水时报警，并切断微波电源等。
☆基片温度范围:200~1050℃，用热电偶测温，采用PID控温。
☆设备控制:供电AC220V/50Hz单相三线制供电，功率：3KW。