由磁场引起材料电阻变化的现象称为磁电阻效应。 目前发现的磁电阻效应有：正常磁电阻效应（ OMR ）、各向异性磁电阻效应（ AMR ）、巨磁电阻效应（ GMR ）、庞磁电阻效应（ CMR ）及隧穿磁电阻效应（ TMR ）等。

本仪器提供三种磁电阻传感器，分别为多层膜巨磁电阻传感器 、自旋阀巨磁电阻传感器、各向异性磁电阻传感器。 帮助学生了解不同磁电阻效应的原理及应用，仪器安全可靠，实验内容丰富。 可用于高校、中专的基础物理实验、近代物理实验及综合性设计性物理实验。

应用本仪器可完成以下实验：

1 ．了解不同磁电阻效应原理，测量不同磁场下三种材料磁电阻阻值 R_B ，作 R_B/R₀-B 关系图，求电阻相对变化率(R_B-R₀)/R₀ 的最大值；

2. 学习磁电阻传感器定标方法，计算三种磁电阻传感器灵敏度；

3 ． 测量三种磁电阻传感器输出 电压V_输出与通电导线电流 I 的关系；

4 ．作自旋阀巨磁电阻传感器磁滞回线。

仪器主要技术参数：

1 ．多层膜巨磁电阻传感器 线性范围 0.15mT － 1.05mT　　　灵敏度 30.0mV/V/mT － 42.0mV/V/mT

自旋阀巨磁电阻传感器 线性范围 -0.81mT － 0.87mT　　　灵敏度 13.0mV/V/mT － 16.0mV/V/mT

各向异性磁电阻传感器 线性范围 -0.6mT － 0.6mT　　　灵敏度 8.0mV/V/mT － 12.0mV/V/mT

2 ．亥姆霍兹线圈 单只线圈匝数 N= 200 匝，半径 10 cm

3 ．亥姆霍兹线圈用恒流源 输出电流 0 － 1.2A 连续可调